Escalfador de banda amb termopar

Escalfador de banda amb termopar

L'element calefactor de l'escalfador de banda està construït amb un cable de calefacció d'aliatge de níquel-crom de primera qualitat i la capa aïllant es compon de mica natural. La capa de calefacció conductora està construïda amb una capa exterior d'acer inoxidable de primera qualitat. L'escalfador de banda es pot mecanitzar per adaptar-se a les demandes del client. anells, plats i nombrosos objectes amb formes úniques. L'escalfador de banda amb termoparell pot mesurar la temperatura en ús i té les qualitats següents: una estructura raonable, un aspecte encantador, un rendiment estable, un escalfament ràpid, un escalfament uniforme, un aïllament efectiu i una resistència a alta tensió.

Escalfador de banda amb termopartret principal:

1. Resistència a la calor; pot suportar temperatures de fins a 600 graus.

2. Aïllament efectiu amb una resistència d'aïllament d'almenys 100M.

3. Mida petita, gruix prim, força forta i pes lleuger.

4. Qualsevol formulari es pot dissenyar simplement amb un cost mínim, en funció de les necessitats.

Escalfador de banda amb termoparAplicació:

s'utilitza principalment a l'element de calefacció del barril de la màquina d'emmotllament per injecció.

el recuit, el tremp, l'extinció local o general i la diatèrmia de diferents metalls són exemples de tractament tèrmic;

El conformat en calent inclou l'encapçalament en calent, la laminació en calent i la forja en calent.

La soldadura inclou soldar diferents productes metàl·lics, unir fulles d'eines, fulles de serra i dents de serra, unir tubs d'acer i coure i unir metalls comparables però diferents.

fosa de metalls, inclosa la fosa, el recobriment per evaporació i la fosa al buit de metalls com l'or, la plata, el coure, el ferro i l'alumini;

Altres usos dels equips de calefacció d'alta freqüència inclouen la implantació de metalls en polímers, recobriment en pols, combinació de calor, segellat tèrmic de la boca de l'ampolla, segellat tèrmic de la pell de pasta de dents i desenvolupament de cristall únic de semiconductors.